Announcement
Starting on July 4, 2018 the Indonesian Publication Index (IPI) has been acquired by the Ministry of Research Technology and Higher Education (RISTEKDIKTI) called GARUDA Garba Rujukan Digital (http://garuda.ristekdikti.go.id)
For further information email to portalgaruda@gmail.com

Thank you
Logo IPI  
Journal > Jurnal Fisika dan Aplikasinya > Pengaruh Luas Kontak pada Kualitas MSM pGaSb

 

Full Text PDF (128 kb)
Jurnal Fisika dan Aplikasinya
Vol 2, No 2 (2006)
Pengaruh Luas Kontak pada Kualitas MSM pGaSb
Sustini, Euis ( Institut Teknologi Bandung)
Azis, Hery Saeful ( Institut Teknologi Bandung)
Sutanto, Heri ( Institut Teknologi Bandung)
Subagyo, Agus ( Institut Teknologi Bandung)
Article Info   ABSTRACT
Published date:
13 Jul 2006
 
Dalam tulisan ini film tipis semikonduktor GaSb telah ditumbuhkan dengan metoda MOCVD vertikal pada tekanan 50 torr di atas subtsrat SI GaAs(100). Film mempunyai type p dengan permukaan yang cukup homogen serta orientasi film didominasi (200). Film yang ditumbuhkan pada temperatur 520 oC dengan rasio V/III=1 mempunyai mobilitas 68,57 cm2/Vs dan konsentrasi 1,9 x 1018 cm−3. Metal Semikonduktor Metal (MSM) Al-pGaSb telah dibuat menggunakan dua metoda, yaitu metoda sederhana evaporasi dengan luas kontak 0,02 cm2 dan metoda UV litografi dengan luas kontak 0,009 cm2. MSM bersifat ohmik kontak dengan resistansi spesifik Rc menurun terhadap luas kontak yang digunakan.
Copyrights © 2006